2Т3129Б9 — транзистор

Второе исполнение p-n-p серии

2Т3129Б9 — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор структуры p-n-p, универсальный, для низкочастотных усилителей, генераторов и импульсных устройств герметизированной аппаратуры; второе буквенное исполнение серии.

Как и у соседней n-p-n серии 3130, буквы здесь означают группу отбора по коэффициенту передачи тока, а не разные приборы.

Подбор плеч двухтактного каскада

Практический смысл буквенных групп раскрывается именно в комплементарном включении. Если верхнее плечо каскада собрано на n-p-n исполнении Б, а нижнее — на p-n-p исполнении А, коэффициенты передачи плеч будут различаться, и двухтактный каскад начнёт усиливать полуволны неодинаково.

Поэтому пары комплектуют однобуквенными: Б9 к Б9. Для схем с глубокой общей обратной связью это менее критично — она выравнивает плечи, — но в каскадах без неё разница букв слышна напрямую как искажение.

Почему p-n-p исторически был труднее

У кремниевых приборов p-n-p структура даётся сложнее: подвижность дырок примерно втрое ниже подвижности электронов, и при прочих равных p-n-p транзистор получается медленнее и с меньшим усилением, чем его n-p-n собрат. Именно поэтому комплементарные пары приходилось разрабатывать специально, подгоняя геометрию p-n-p прибора так, чтобы его параметры дотянулись до n-p-n, а не брать два готовых транзистора подходящих типов.

Описание и применение

Транзисторы 2Т3129Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.

Технические характеристики

Внешний вид

Все исполнения серии: 2Т3129