Транзисторы КТ3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Технические характеристики
Обозначение
КТ3117А
Ключевой транзистор в единственном исполнении
В сверенных изданиях серия КТ3117 представлена единственным исполнением: других буквенных групп в их таблицах нет. КТ3117А — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор структуры n-p-n, импульсный, высокочастотный, малой мощности; корпус металлостеклянный с гибкими выводами, обозначение нанесено на корпус, масса не превышает 0,4 г. Назначение прямое — импульсные и переключающие устройства.
Усиление нормировано в довольно тяжёлой точке: 5 В на коллекторе при токе эмиттера 200 мА. В комнате коэффициент передачи попадает в вилку 40…200, на морозе −45 °С нижняя граница проваливается до 15, а при +85 °С разброс уезжает вверх — 30…350. Граничная частота коэффициента передачи — от 200 МГц, снята в режиме 10 В и 30 мА.
Насыщение и рассасывание
Для ключа важнее усиления другая пара цифр. При токе коллектора 500 мА и токе базы 50 мА напряжение насыщения коллектор—эмиттер не превышает 0,6 В, база—эмиттер — 1,2 В; первое прямо задаёт потери в открытом состоянии. Время рассасывания измеряют при том же токе 500 мА и равных токах базы по 50 мА в обе стороны: не более 80 нс. Заряд из базы вытягивается принудительно, и в реальной схеме именно эта норма ограничивает частоту переключения жёстче, чем граничная частота.
Ёмкости для прибора такого класса умеренные: коллекторный переход при 10 В — до 15 пФ, эмиттерный при нулевом смещении — до 100 пФ. Обратный ток коллектора при 60 В задан не выше 10 мкА при +25 °С, но при +85 °С допускается уже 100 мкА. Рост на порядок для кремния обычен, и его надо закладывать в расчёт цепи базы заранее.
Предельные режимы и тепло
Напряжение коллектор—база — 60 В; по цепи коллектор—эмиттер разрешено 50 В, если эмиттер и база связаны сопротивлением до 1 кОм, а температура не превышает +35 °С; эмиттер—база — 4 В. Постоянный ток коллектора 400 мА, импульсный вдвое больше при длительности до 1 мкс и скважности от 10. Постоянная мощность — 300 мВт, пока среда не выше +35 °С, и 180 мВт при +85 °С. Импульсные нормы записаны с разной длительностью и потому не сводятся в пару: 800 мВт при импульсе до 1 мкс и температуре до +35 °С, 400 мВт при импульсе до 10 мкс и +85 °С, скважность в обоих случаях от 10. Тепловые сопротивления переход—среда и переход—корпус равны 0,35 и 0,1 °С/мВт, температура перехода — до +150 °С, среда от −45 до +85 °С.
Осторожно: часть строк принадлежит не этому типу
Во всех проверенных книгах КТ3117А описан в одной статье с военным аналогом 2Т3117А, и нормы разнесены по типам построчно. За общие легко принять значения, относящиеся только ко второму типу: ток эмиттера 5 мкА, время рассасывания 60 нс и мощности, привязанные к +125 °С и к температуре корпуса. Здесь опубликованы лишь те строки, которые издания прямо относят к КТ3117А либо печатают без разделения на типы.
Паспортные параметры КТ3117А
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h21э (Uкэ = 5 В, Iэ = 200 мА, T = +25 °С), -
40…200
Статический коэффициент передачи тока h21э при T = −45 °С, -
15…200
Статический коэффициент передачи тока h21э при T = +85 °С, -
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при T = +85 °С, мВт
180
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора Pк.и макс (Q ≥ 10; для КТ3117А tи ≤ 1 мкс, T ≤ +35 °С), мВт
800
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при T = +85 °С (tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 10), мВт
400
Тепловое сопротивление переход-среда, °С/мВт
0,35
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/мВт
0,1
Температура p-n перехода Tп макс, °С
+150
Температура окружающей среды, °С
от −45 до +85
Масса транзистора, г
не более 0,4
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 218 (страница не перечитывалась глазами при этой проверке)
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 219 (T ≤ 308 К) (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 219 (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 220 (423 К) (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 220 (от 228 до 358 К) (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 220 (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Григорьев В. А., Замятин В. Я. Транзисторы: справочник. — М.: Радио и связь, 1989 (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), с. 78–79 (350 °С/Вт) (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Григорьев В. А., Замятин В. Я. Транзисторы: справочник. — М.: Радио и связь, 1989 (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), с. 78–79 (Tмакс = 85 °С) (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Григорьев В. А., Замятин В. Я. Транзисторы: справочник. — М.: Радио и связь, 1989 (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), с. 78–79 (графа T = 35 °С) (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Григорьев В. А., Замятин В. Я. Транзисторы: справочник. — М.: Радио и связь, 1989 (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), с. 78–79 (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. Справочник. — М.: Радио и связь, 1995, с. 115 (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. Справочник. — М.: Радио и связь, 1995, с. 116 (tи ≤ 10 мкс, T ≤ +40 °С) (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. Справочник. — М.: Радио и связь, 1995, с. 116 (граница указана как +40 °С) (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. Справочник. — М.: Радио и связь, 1995, с. 116 (прочитано глазами с отрендеренной страницы)
Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам
Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: справочник. — М.: Радио и связь (Массовая радиобиблиотека, вып. 1154), с. 148 (прочитано глазами с отрендеренной страницы)