КТ316ВМ — транзистор

Единственная пара с рассасыванием 15 нс

Время рассасывания нормировано лишь у шести исполнений из десяти, и чисел там всего два: десять наносекунд у А, Б, АМ и БМ, пятнадцать — у В и ВМ; у Г, Д, ГМ и ДМ графа пуста. КТ316ВМ принадлежит ко второй, меньшей группе, и это единственная строка, по которой он расходится с БМ: усиление 40—120, частота 800 МГц и токовая запись 50 у них совпадают.

Разница в задержке выключения получается полуторной. Для ключа на десятки мегагерц она несущественна, а вблизи верхней границы возможностей серии становится заметной и определяет предельную частоту повторения импульсов.

Верхняя частотная группа

Восемьсот мегагерц — старшее значение таблицы, его несут шесть исполнений из десяти. Обе нормированные ёмкости, 3 пФ коллекторная при 5 В и 2,5 пФ эмиттерная при нуле, по серии не меняются, так что разделение на частотные группы в этих строках никак не отражено. Постоянная времени Rб·Cк для ВМ не приводится.

Граничной называют частоту, на которой коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером падает до единицы, то есть усиления там уже нет. Работают заметно ниже: практический потолок каскада на этой букве лежит в несколько раз ниже восьмисот мегагерц, а сама цифра служит мерой запаса, а не рабочим режимом.

Усиление среднего уровня

Вилка 40—120 — предпоследняя из четырёх ступеней таблицы; такую же запись имеют Б, В и БМ. Трёхкратный интервал между границами для массового прибора обычен, и каскад приходится либо считать по худшему экземпляру, либо строить так, чтобы усиление задавалось внешними сопротивлениями, а не самим транзистором.

Структура n-p-n, кремний, малая мощность — по классу прибора это рядовое исполнение серии.

Предельные режимы

Обратный ток коллектора нормирован величиной 0,5 мкА, напряжение коллектор—база — десятью вольтами, столько же допускается между коллектором и эмиттером при указанном в таблице резисторе в цепи базы. Эмиттерный переход держит четыре вольта обратного смещения, рассеивать прибору разрешено 150 мВт, а насыщение ограничено 0,4 В — когда ток базы вдесятеро меньше коллекторного. В токовой графе, как у всех М-исполнений, записано одно число 50.

Замена без правки схемы — КТ316В, отличающийся от ВМ только этой токовой строкой. Все десять исполнений сведены в одну таблицу на странице серии КТ316.

Технические характеристики

Обозначение	КТ316ВМ
Структура	n-p-n
h_21э: B1-B2 / I_к	40-120/10
f_гр, МГц	800
C_к / U_к, пФ/В	3/5
C_э / U_эб, пФ/В	2.5/0
R_б·C_к, пс	-
tрас, нс	15
U_кэ нас / (I_к/I_б)	0.4/(10/1 )
I_кбо, мкА	0.5
U_кб max, В	10
U_кэ / R	10/3
U_эб max, В	4
I_к max / I_к нас	50/
P_к, мВт	150

Исполнения серии КТ316

Исполнение	h_21э: B1-B2 / I_к	f_гр, МГц	I_к max / I_к нас	R_б·C_к, пс	tрас, нс
А	20-60/10	600	30/50	-	10
Б	40-120/10	800	30/50	-	10
В	40-120/10	800	30/50	-	15
Г	20-100/10	600	30/50	150	-
Д	60-300/10	800	30/50	150	-
АМ	20-60/10	600	50/	-	10
БМ	40-120/10	800	50/	-	10
ВМ	40-120/10	800	50/	-	15
ГМ	20-100/10	600	50/	150	-
ДМ	60-300/10	800	50/	150	-

Паспортные параметры КТ316ВМ

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0, Iэ = 10 мА и +25 °C	40…120
Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее, МГц	800
Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Rк = 75 Ом, не более, нс	15
Граничное напряжение при Iэ = 1 мА, не менее, В	5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более, В	0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более, В	1,1
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В и +25 °C, не более, мкА	0,5
Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В и +25 °C, не более, мкА	1
Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более, пФ	3
Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более, пФ	2,5
Предельное постоянное напряжение коллектор-база, В	10
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ = 3 кОм, В	10
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база, В	4
Предельный постоянный ток коллектора и эмиттера, мА	30
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт	150 (при температуре до +85 °C)

Чем КТ316ВМ отличается от других исполнений

Исполнение	Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0, Iэ = 10 мА и +25 °C	Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее, МГц	Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Rк = 75 Ом, не более, нс
А	20…60	600	10
АМ	20…60	600	10
Б	40…120	800	10
БМ	40…120	800	10
ВМ	40…120	800	15
Г	20…100	600	—
Д	60…300	800	—
ДМ	60…300	800	—

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 321
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995, с. 168

Внешний вид

КТ316 — все исполнения серии