Описание и применение
КТ8117А — кремниевый биполярный транзистор структуры n-p-n в одиночном исполнении, относящийся к классу высоковольтных приборов большой мощности. Его облик задают предельные параметры: рабочее напряжение коллектор-база до 500 В, коллектор-эмиттер до 400 В при токе коллектора до 10 А и рассеиваемой мощности порядка сотни ватт. Такое сочетание — высокое напряжение, солидный ток и мощность — однозначно выдаёт в нём не усилительный, а ключевой (переключающий) транзистор, рассчитанный на работу в режиме «открыт-закрыт», а не на линейное усиление сигнала.
На это же указывает и низкая граничная частота — около 4 МГц: для радиочастот это мало, но для силового ключа несущественно, ведь он коммутирует относительно медленно и главное для него — держать высокое напряжение в закрытом состоянии и пропускать большой ток в открытом. Умеренный коэффициент передачи тока (h21э от единиц) — типичная плата за высоковольтность: чем толще и высокоомнее коллекторная область, обеспечивающая пробивное напряжение в сотни вольт, тем скромнее усиление. Прибор относится к семейству КТ81xx — линейке отечественных мощных высоковольтных транзисторов (КТ8114, КТ8115, КТ8116, КТ8118, КТ8120 и др.), различающихся сочетанием предельного напряжения, тока и мощности.
Область применения таких транзисторов — силовая ключевая электроника: импульсные и вторичные источники питания, преобразователи и инверторы, схемы строчной развёртки телевизоров и мониторов, драйверы электромагнитов и реле, регуляторы и стабилизаторы — везде, где нужно коммутировать высокое напряжение сети или умножителя. Способность выдерживать 500 В на коллекторе делает прибор пригодным для цепей, питаемых прямо от выпрямленной сети ~220 В (где амплитуда достигает ~310 В и требуется запас на выбросы), что и определяло его нишу в бытовой и промышленной аппаратуре советского и постсоветского периода.
По функциональному профилю зарубежным аналогом для приборов этого класса служит BUV48 — высоковольтный силовой NPN-транзистор (Vce до 400 В, Ic до 15 А, 125 Вт), хотя прямого «pin-to-pin» аналога у конкретного типа может и не быть — параметры советских высоковольтных серий подбирались под свою элементную базу и корпуса. Сегодня КТ8117А — представитель уходящей эпохи дискретной силовой электроники: в новых разработках его нишу заняли мощные MOSFET и IGBT, но в ремонте и повторении старой техники такие транзисторы по-прежнему востребованы как надёжные высоковольтные ключи.
КТ8117А — биполярный транзистор структуры n-p-n. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
Электрические параметры
| Параметр | КТ8117А |
|---|
| Структура | n-p-n |
| h21э: B1-B2 / Iк | 10-/ |
| fгр, МГц | 4 |
| Uкэ нас / (Iк/Iб) | 1.5(5.0/0.5) |
| Uкб max, В | 500 |
| Uкэ / R | 400/ |
| Iк max / Iк нас | 10/15 |
| Pк / Pт, Вт | /100 |