Описание и применение
КТ650А — кремниевый биполярный транзистор структуры n-p-n, относящийся к классу приборов средней мощности: рассеиваемая мощность на коллекторе составляет 0,3 Вт, а предельный ток коллектора ограничен 50 мА. По советской классификации (первая цифра «6» в номере типа) — высокочастотный транзистор средней мощности общего применения. Буква «А» в обозначении маркирует конкретное исполнение внутри серии — вариант с гарантированным диапазоном параметров, тогда как соседние буквенные группы того же типономинала обычно различаются классом усиления или допустимыми напряжениями.
С точки зрения схемотехники ключевые черты прибора — высокий и стабильный коэффициент передачи тока (h21э в пределах 100-300) при умеренном допустимом напряжении коллектор-база до 50 В. Такое сочетание делает КТ650А удобным для каскадов, где важна хорошая токовая чувствительность: большой β означает, что заметный ток коллектора управляется совсем небольшим током базы, что упрощает согласование по входу и снижает нагрузку на предыдущий каскад. Обратить внимание стоит на низкое предельное напряжение эмиттер-база (всего 3 В) — типичная черта высокоусилительных кремниевых транзисторов, требующая аккуратности при обратном смещении перехода, например при использовании прибора в качестве ключа с отсечкой.
Граничная частота fгр ≈ 40 МГц соответствует высокочастотному классу по советской классификации (диапазон ВЧ — свыше 30 МГц): транзистор уверенно работает в звуковых трактах, цепях постоянного тока и в области невысоких радиочастот, однако его возможности в СВЧ-диапазоне ограничены. Типичная область — усилительные каскады малого сигнала, эмиттерные повторители, транзисторные ключи и коммутаторы, стабилизаторы и вспомогательные цепи управления в составе бытовой, промышленной и измерительной аппаратуры. В таких схемах от прибора требуется именно то, что он даёт: предсказуемое усиление, достаточный запас по напряжению питания и скромное тепловыделение, позволяющее обходиться без радиатора.
КТ650А — представитель обширного семейства советских кремниевых транзисторов серии КТ, разработанных как массовая элементная база для серийной радиоэлектроники. В отличие от «народных» типов вроде КТ315 или КТ361, ставших почти символом эпохи и разошедшихся миллионными тиражами, приборы этого номинала были распространены заметно скромнее и применялись преимущественно там, где требовались их конкретные сочетания параметров. Функционально КТ650А близок к целому ряду высокочастотных n-p-n транзисторов средней мощности и при подборе замены сопоставляется с ними по граничной частоте, допустимым напряжениям и коэффициенту усиления; точный зарубежный аналог следует выбирать по справочным таблицам соответствия, сверяя предельные режимы и цоколёвку корпуса.
КТ650А — биполярный транзистор структуры n-p-n. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
Электрические параметры
| Параметр | КТ650А |
|---|
| Структура | n-p-n |
| h21э: B1-B2 / Iк | 100-300/ |
| fгр, МГц | 40 |
| Uкб max, В | 50 |
| Uэб max, В | 3 |
| Iк max / Iк нас | 0.05/ |
| Pк / Pт, Вт | 0.3/ |