Описание и применение
КТ6116 — кремниевый биполярный транзистор структуры p-n-p, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. По классу это маломощный высоковольтный прибор: рассеиваемая мощность коллектора невелика (около 0,6 Вт), ток коллектора ограничен долями ампера, зато допустимое напряжение коллектор—база достигает 160 В у исполнения КТ6116А и 130 В у КТ6116Б. Такое сочетание — низкий ток при высоком рабочем напряжении — определяет и назначение транзистора: он рассчитан на аппаратуру с повышенным напряжением питания, где нужен большой запас по пробою при скромной мощности.
Ключевые особенности КТ6116 вытекают из его характера. Граничная частота передачи тока составляет не менее 100 МГц, поэтому прибор уверенно работает не только на низкой частоте, но и в широкополосных, видеочастотных и импульсных цепях. Коэффициент передачи тока h21э у исполнения А достаточно высок (60-240), у исполнения Б несколько скромнее (40-180), что в обоих случаях удобно для каскадов предварительного усиления, где важна большая крутизна при малом токе базы. Прибор ценят за малый уровень шума, что делает его пригодным для входных малосигнальных цепей. Разброс по буквам А/Б касается прежде всего допустимого напряжения и коэффициента усиления — А идёт «повыше» по обоим параметрам.
Типичная область применения КТ6116 — малосигнальные усилительные и ключевые каскады в высоковольтных цепях: выходные и предвыходные ступени усилителей, драйверы, схемы управления и коммутации, где напряжение питания заметно выше обычных 12—15 В. Отдельно транзистор известен в телефонии и системах связи: сочетание высокого пробивного напряжения с низкими шумами хорошо подходит для абонентских и линейных узлов телефонной аппаратуры. Выпускался прибор в компактном пластмассовом корпусе КТ-26 (TO-92); его прямую комплементарную (n-p-n) пару образует транзистор КТ6117 — вместе они удобны для построения симметричных двухтактных и мостовых каскадов.
По схемотехническому «характеру» КТ6116 — это отечественный аналог популярной зарубежной пары высоковольтных маломощных p-n-p транзисторов: 2N5401 (для КТ6116А, до 150—160 В) и 2N5400 (для КТ6116Б, до 120—130 В). Эти западные приборы десятилетиями применяются в высоковольтных каскадах аудиоусилителей, источниках опорного напряжения, драйверах и цепях сигнальной коммутации, так что КТ6116 занимает ровно ту же нишу в советской и постсоветской элементной базе. Для разработчика это удобно: при ремонте или повторении зарубежных схем отечественный КТ6116 (и его пара КТ6117) становится прямой заменой доступной высоковольтной комплементарной пары.
КТ6116 — биполярный транзистор структуры p-n-p. Варианты: КТ6116А, КТ6116Б. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
Электрические параметры
| Параметр | КТ6116А | КТ6116Б |
|---|
| Структура | p-n-p | p-n-p |
| h21э: B1-B2 / Iк | 60-240/ | 40-180/ |
| fгр, МГц | 300 | 300 |
| Uкэ нас / (Iк/Iб) | 0.5(/) | 0.5(/) |
| Uкб max, В | 160 | 130 |
| Uкэ / R | 150/ | 120/ |
| Uэб max, В | 5 | 5 |
| Iк max / Iк нас | 0.6/ | 0.6/ |
| Pк / Pт, Вт | 0.62/ | 0.625/ |
Зарубежные аналоги
Исполнения серии
КТ6116А · КТ6116Б