Описание и применение
КПС105Г — маломощный кремниевый полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа. Относится к классу низкочастотных малосигнальных усилительных приборов: его «потолок» по напряжению составляет 25 В по всем трём парам электродов, а мощность рассеяния невелика — класс прибора соответствует входным и маломощным каскадам, а не силовым или ключевым применениям. Буква «С» в обозначении КПС по советской системе указывает на особое конструктивное исполнение; данный прибор — одиночный кристалл (в отличие от сдвоенных сборок типа КПС104).
Ключевое усилительное достоинство КПС105Г — высокое входное сопротивление, свойственное всем JFET: затвор управляет каналом через обратносмещённый p-n переход, практически не потребляя тока. Крутизна характеристики порядка 0,5 мА/В — умеренная, характерная для малосигнальных n-канальных приборов. Напряжение отсечки лежит в диапазоне 2,5-6 В, что даёт возможность управлять транзистором стандартными схемотехническими решениями без специальных источников смещения. Входная ёмкость 6 пФ и проходная 2 пФ — небольшие значения, позволяющие работать на звуковых и низких радиочастотах без существенного ёмкостного шунтирования сигнала.
Типичная область применения КПС105Г — входные каскады высокоомных усилителей: предусилители с высоким входным сопротивлением, буферные каскады для датчиков и пьезоэлектрических преобразователей, аналоговые ключи для коммутации малых сигналов. n-канальные JFET в советской схемотехнике использовались в измерительной аппаратуре, медицинских приборах и студийном аудиооборудовании — там, где требовалось принять сигнал от высокоомного источника, не нагружая его. Как и сдвоенные n-канальные сборки КПС104, одиночный КПС105Г удобен в дифференциальных входных ступенях, где нужны согласованные по параметрам n-канальные плечи.
Зарубежные аналоги n-канальных маломощных JFET с близкими параметрами — приборы серий 2N5457-2N5459 (National/Fairchild), BF245, а также 2SK-серия японских производителей. При замене следует ориентироваться прежде всего на диапазон напряжения отсечки (у КПС105Г — 2,5-6 В) и крутизну характеристики, поскольку n-канальные JFET разных серий могут существенно различаться по этим параметрам даже при одинаковом типе корпуса.
КПС105Г — полевой транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
Электрические параметры
| Параметр | КПС105Г |
|---|
| Крутизна S1-S2 / I(U) | 0.5-/(10) |
| Cвх, пФ | 6 |
| Cпр, пФ | 2 |
| Uзи отс / Iс | (2.5-6.0) |
| Uзс max, В | 25 |
| Uзи max, В | 25 |
| Uси max, В | 25 |
| Проводимость / канал | P-N |
Все исполнения серии: КПС105