КП946 — мощный полевой транзистор типа ПСИТ (прибор со статической индукцией), n-канальный, в нормально открытом исполнении. При нулевом напряжении на затворе цепь сток-исток находится в проводящем состоянии; для запирания на затвор подаётся отрицательное напряжение. В отличие от классических МДП-транзисторов с изолированным затвором, в ПСИТ управляющий p-n-переход в режиме пониженного сопротивления канала работает при прямом смещении — то есть затвор инжектирует ток, аналогично базе биполярного транзистора. Отсюда и специфика: ток утечки затвора достигает 500 мкА, что отличает эти приборы от «обычных» полевых с фактически бестоковым управлением. Зато порог отсечки всего 0,7 В, а максимальное напряжение затвора не превышает 5 В.
По силовым характеристикам КП946 относится к классу высоковольтных средне-мощных ключевых транзисторов: ток стока до 15 А, рассеиваемая мощность 40 Вт, сопротивление открытого канала менее 0,15 Ом. Принципиальное различие между вариантами — допустимое напряжение сток-исток: КП946А рассчитан на 500 В, КП946Б — на 300 В. Вариант А закрывает высоковольтные применения в схемах с сетевым питанием без трансформатора на входе, где именно такой запас по напряжению критичен. Короткий вертикальный канал ПСИТ обеспечивает быстрое переключение и малые динамические потери — то, чего традиционным биполярным транзисторам в схожем ценовом и корпусном классе достичь значительно сложнее.
Основная область применения КП946 — высокочастотные импульсные источники питания с бестрансформаторным входом и ключевые усилители мощности. Схема включения полностью аналогична n-p-n биполярным транзисторам: затвор — как база, сток — как коллектор, исток — как эмиттер, что упрощало замену биполярных приборов серий КТ812, КТ858, КТ859, КТ872 без существенной переработки схемы. При этом переход на ПСИТ позволял вдвое снизить потери на переключение и упростить цепи управления. Транзистор выпускался в стандартном корпусе с фланцем (общая цоколёвка с КП948), пригодном для монтажа на теплоотвод.
Прямых западных аналогов КП946 не существует: технология SIT/BSIT (статическая индукция) развивалась преимущественно в СССР и Японии (Nishizawa, Tohoku University), тогда как западная промышленность в тот же период сосредоточилась на IGBT и силовых MOSFET с изолированным затвором. По совокупности параметров КП946А функционально близок к высоковольтным n-канальным MOSFET с Uси ≥ 500 В и Iс ≥ 10 А (например, серии IRF из линейки International Rectifier), однако механизм управления принципиально иной. Для современных разработок КП946 представляет скорее коллекционный и исследовательский интерес — импульсные источники питания того же класса сегодня строятся на IGBT или SuperJunction MOSFET с существенно лучшими параметрами.
КП946 — полевой транзистор. Варианты: КП946А, КП946Б. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
