Описание и применение
КП751 — силовой МОП-транзистор с N-каналом, предназначенный для работы в высоковольтных импульсных схемах. Три варианта исполнения (А, Б, В) перекрывают диапазон напряжений сток-исток от 350 до 400 В при допустимом токе стока до 3,3 А и рассеиваемой мощности 50 Вт — типичный профиль ключевого транзистора средней мощности для первичных цепей сетевой аппаратуры. Структура с изолированным затвором (MOSFET, режим обогащения) обеспечивает управление по напряжению: ток затвора в статике практически равен нулю, что упрощает построение драйверов и снижает мощность управляющего каскада. Напряжение отсечки по затвору — в пределах 2-4 В, что характерно для логически-совместимых силовых ключей; при этом максимально допустимое напряжение затвор-исток не превышает 20 В, и превышение этого предела необратимо разрушает тонкий оксидный слой.
Основная сфера применения КП751 — импульсные источники питания: обратноходовые (flyback) и прямоходовые (forward) преобразователи, корректоры коэффициента мощности, высоковольтные регуляторы. Транзистор также использовался в инверторах, электронных балластах, драйверах нагрузок с питанием от выпрямленной сети (~300 В DC). Благодаря относительно малой входной ёмкости прибор допускает работу на повышенных частотах переключения, что критично для уменьшения габаритов трансформатора. Корпус TO-220 с металлическим теплоотводящим фланцем позволяет монтировать транзистор непосредственно на радиатор без промежуточных плат — стандартное решение для мощной аппаратуры 1980-90-х годов.
Прибор создавался как отечественная версия западных силовых MOSFET серии IRF7xx: КП751А соответствует IRF720 (400 В / 3,3 А), КП751Б — IRF721 (350 В / 3,3 А), КП751В — IRF722 (400 В / 2,8 А). Международные аналоги выпускались Intersil, Vishay Siliconix, Samsung и другими производителями и де-факто стали мировым стандартом в своём классе. Советская версия повторяла электрические параметры, что обеспечивало взаимозаменяемость при ремонте и разработке. В постсоветской ремонтной практике КП751 нередко заменяли напрямую на IRF720/IRF740 или близкие по параметрам приборы — с обязательной проверкой цоколёвки, которая у разных производителей может отличаться.
КП751 относится к вертикальным DMOS-транзисторам — технологическому направлению, в котором ток течёт перпендикулярно поверхности кристалла, что даёт более высокую плотность тока и лучшие тепловые характеристики по сравнению с ранними планарными полевыми структурами. В целом серия КП75x представляет собой типичный пример советской микроэлектроники позднего периода: освоенные в производстве функциональные аналоги мировых стандартов, ориентированные на нужды промышленной и бытовой аппаратуры с питанием от сети.
КП751 — полевой транзистор. Варианты: КП751А, КП751Б, КП751В. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
Электрические параметры
| Параметр | КП751А | КП751Б | КП751В |
|---|
| Uзи отс / Iс | 2.0-4 | 2.0-4 | 2.0-4 |
| Uзи max, В | 20 | 20 | 20 |
| Uси max, В | 400 | 350 | 400 |
| Iс max | 3.3 | 3.3 | 2.8 |
| Pрас | 50 | 50 | 50 |
| Проводимость / канал | N | N | N |
Зарубежные аналоги