Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


3П915А2-Б2 — полевой транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

3П915А2-Б2 — полевой СВЧ-транзистор на арсениде галлия (GaAs) с затвором Шоттки и каналом n-типа, выполненный по эпитаксиально-планарной технологии. Прибор относится к классу МЕЗТ (металл-полупроводник с барьером Шоттки) — именно эта структура, а не обычный p-n-переход, обеспечивает работу на сверхвысоких частотах: высокая подвижность электронов в GaAs и ультракороткий канал позволяют транзистору сохранять усилительные свойства вплоть до 8 ГГц. Это делает его принципиально отличным от кремниевых приборов той же эпохи.

По назначению — генераторный и усилительный прибор для СВЧ-диапазона. Максимальный ток стока 0,65 А характерен для мощного каскада; низкое напряжение отсечки (Uзи max 5 В, Uси max 7 В) типично для субмикронных затворов GaAs — прибор требует аккуратного источника питания и защиты от статики, зато обеспечивает минимальный шум на высокой частоте. Ток утечки затвора до 1000 нА — следствие барьерной, а не диэлектрической изоляции затвора в МЕЗТ; для GaAs-приборов с барьером Шоттки это нормальная величина.

Конструктивно 3П915А2-Б2 выпускался в бескорпусном исполнении с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе — типичная форма для гибридных СВЧ-сборок советской аппаратуры. Такое исполнение минимизирует паразитные индуктивности выводов, критичные на сантиметровых волнах, и рассчитано на монтаж в герметизированные модули, а не в бытовую технику. Обозначение «Б2» в наименовании указывает на вариант отбора по группе параметров — советская практика сортировки кристаллов на этапе выходного контроля.

Прибор применялся в спецаппаратуре и профессиональном радиооборудовании сантиметрового диапазона: радиолокационных модулях, системах связи, измерительной технике. Зарубежными функциональными аналогами по классу являются GaAs MESFET C-диапазона того же периода — приборы серий FLC и FLM7177 (Fujitsu/Eudyna), применявшиеся в западных СВЧ-усилителях мощности 1980-х годов. Массовым прибор не был — в отличие от кремниевых КТ315 или КП303, GaAs-транзисторы производились небольшими партиями для оборонной и специальной промышленности.

3П915А2-Б2 — полевой транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Корпус и цоколёвка

Цоколёвка
Цоколёвка 3П915А2-Б2

Электрические параметры

Параметр3П915А2-Б2
Iз ут / Uз, нА/В1000/
Uзи max, В5
Uси max, В7
Iс max0.65
Pрас12
Проводимость / каналШоттки/N

Исполнения серии

3П915А-2 · 3П915Б-2

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»