2Т887 — кремниевый высоковольтный биполярный транзистор структуры p-n-p, выполненный по эпитаксиально-планарной технологии в составном включении. Главная особенность прибора — исключительно высокое напряжение коллектор-эмиттер: до 700 В у варианта А и 600 В у варианта Б, при рассеиваемой мощности до 75 Вт с теплоотводом. Именно это сочетание — высокое напряжение плюс ток коллектора до 2 А (в импульсе до 5 А) — определяет нишу прибора: силовая электроника с питанием от высоковольтных шин, где ни низковольтные КТ-серии, ни обычные маломощные p-n-p транзисторы просто не выживают.
По частотным свойствам 2Т887 относится к низкочастотным силовым приборам: граничная частота коэффициента передачи тока — 15 МГц, ёмкость коллекторного перехода — 400 пФ, время рассасывания заряда — 700 нс. Это типичный портрет транзистора, рассчитанного на ключевой и усилительный режим на низких и средних частотах — сетевые преобразователи, импульсные источники питания, регуляторы мощности, строчные и кадровые каскады специальной аппаратуры. Коэффициент передачи тока h21э в диапазоне 20-120 при токе коллектора 1 А говорит о том, что прибор рассчитывался прежде всего на надёжную работу, а не на рекордное усиление: нижняя граница 20 означает гарантированное открытие в ключе при разумном токе базы, а верхняя 120 — неизбежный разброс у составных структур.
Конструктивно транзистор выпускался в металлическом корпусе КТ-9 (международный аналог TO-3) — массивном герметичном корпусе с двумя выводами и фланцем для крепления к радиатору. Такой корпус обеспечивал тепловое сопротивление, достаточное для реализации полных 75 Вт, и был привычен для силовой аппаратуры советского производства — его же использовали КТ812, КТ908 и другие высоковольтные и мощные приборы. Маркировка «2Т» (а не «КТ») указывает на военную приёмку: прибор предназначался прежде всего для аппаратуры специального назначения с повышенными требованиями к надёжности и отбраковке.
Прямого зарубежного аналога, полностью соответствующего классу 2Т887 по напряжению (600-700 В) и корпусу TO-3, среди широко распространённых японских и европейских приборов не существует — высоковольтные p-n-p транзисторы в TO-3 подобного уровня напряжения являлись редкостью уже в период производства прибора. В современной практике высоковольтные p-n-p транзисторы в корпусе TO-3 вытеснены IGBT и силовыми MOSFET, однако 2Т887 периодически встречается в ремонте советского и российского оборудования — осциллографов, блоков питания измерительных комплексов, промышленных регуляторов — где замена на импортный прибор требует проверки цоколёвки и режимов насыщения.
2Т887 — биполярный транзистор структуры p-n-p. Варианты: 2Т887А, 2Т887Б. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
